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中国目前光刻机处于怎样的水平？

日前（2020/05/14），全球芯片制造设备巨头阿斯麦（A***L)）公司与无锡高新区签署战略合作协议。原以为这是引领核心技术产业发展的一面旗帜？但只是一场美丽的误会，A***L只是在无锡升级光刻设备技术服务基地。

若设备进口不算，还停留在实验室阶段的也不算，实际上代表国产光刻机最高水平的目前还仍是上海微电子的90nm制程工艺。

那为什么会有人认为咱们光刻机已经进入了22nm时代？甚至说5nm工艺？

其实是误解。关于5nm的说法其实是刻蚀机技术，并非光刻机。早在2018年的时候，中微半导体就宣布掌握了5nm刻蚀机技术，还通过了台积电5nm工艺校验。

但是，光刻机国产化进程显然要比刻蚀机要缓慢太多！22nm时代至多是踏入了半只脚。

2018年11月，中科院光电所经过7年研发，成功验收了“超分辨光刻装备项目”。据悉，这是世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备，能够实现22nm光刻工艺。

4月份上海微电子也宣布实现了22nm光刻机的研发突破。但就没有透露其它的细节信息。这样也只能是用“停留”在试验室来定论了，毕竟目前看来光刻机22nm节点离商业化落地还较远，短时间内无法迅速落地并进行生产。

目前来看，我国自研的光刻机还依然处于制程工艺为90纳米的水准。

这个水准的光刻机，隶属于第四代步进扫描式光刻机，***用的是波长为193纳米的，深紫外光ArF光源，其制程工艺在135纳米-65纳米之间。

与浸没式光刻机相比差半代，与EUV光刻机相比差一代。

国内这型制程工艺在90纳米的光刻机，也就是由上海微电子生产的SSX-600/20型光刻机。

该光刻机***用了四倍缩小物镜，自适应调焦调平技术，六自由度工件台掩膜台技术，可以适应8寸或者12寸的晶圆。

也就是说，目前国内最先进的光刻机，也只能达到90纳米的制程工艺，不过经过多次曝光之后，估计制程工艺还会进一步缩小。

而国际上最先进的，制程工艺最低的，就是A***L集成的EUV光刻机。该光刻机的制程工艺已经达到了7纳米，***用了波长为13.5纳米的EUV光源；镀了近百层钼和硅制成薄膜的反射镜，而薄膜的粗糙度控制在零点几纳米级别；还有运动精度误差控制在1.8纳米的双工件台。以上只是EUV光刻机，最为重要的三大部件。而一整台EUV光刻机是由10万多个零部件，且还要经过工程师上百万次的调试，才可以交付使用。

如果荷兰AMSL的光刻机是一流标准，日本的东芝是二流水平，则中国的光刻机应当在世界三流向二流过渡的水平。因为目前已透露的信息显示14nm芯片制造需要的光刻机已在试制中，28nm的光刻机已制造完成………正在调整完善中。

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我国光刻机和荷兰差距巨大，现在荷兰a***l光刻机已经可以生产7nm的芯片，而我国的光刻机刚刚实现90nm的芯片光刻机功能，差距太大。至少差了五代的产品。

生产我国光刻机，代表光刻机生产最高水平的是上海微电子的前道光刻机，目前可以生产90nm芯片，而正在研发65nm的芯片设计，这样的升级难度比从0到90nm低得多，所以预计很快就可以生产65nm和45nm的芯片了。

上海微电子的后道封装光刻机已经在销售和出口了，卖的还不错，这个领域全球市场占有率在40%，所以基础的实力还是有的。