UFS和eMMC是两种不同的运行内存的“标准”,是手机的运行内存的两种类型eMMC,全称为“embedded Multi Media Card”,即嵌入式的多媒体存储卡。对于eMMC,我们其实可以按照它名字的字面意思进行理解,实际上就是将Flash存储器和控制芯片封装到了一起。eMMC的起源要比UFS更早。如今的UFS2.0,理论带宽已经可以达到1.5GB/s,理论上比eMMC5.1的两倍还要快。
除了速度之外,UFS2.0还支持全双工运行,可以实现串行读写,也就是在读取的时候仍然可以写入;而半双工的eMMC则只能并行读写,想要读取就无法进行写入操作。
UFS,全称是通用闪存存储“Universal Flash Storage”,是一种内嵌式存储器的标准规格,整合有主控芯片的闪存。经历过UFS 1.0、ufs 2.0、UFS 2.1、和2018年1月发布的最新 UFS3.0标准。目前应用在旗舰机上的闪存芯片大部分为U***2.1,中端机还在使用UFS2.0。
ufs3.0是最新的闪存存储方案,主要面向智能手机等移动设备,号称可带来媲美高端PC SSD固态硬盘的性能,相信再过不久,ufs3.0能够出现在智能手机上!
UFS 3.0引入了HS-G4规范,单通道带宽提升到11.6Gbps,是HS-G3(UFS 2.1)性能的2倍。而由于UFS支持双通道双向读写,所以UFS 3.0的接口带宽最高可达23.2Gbps,也就是2.9GB/s。此外,UFS 3.0支持的分区增多(UFS 2.1是8个),纠错性能提升且支持最新的NAND Flash闪存介质。而在AndroBench中的实际测试数据;持续读写速度可分别达到1507MB/s和396MB/s,较双通道UFS2.1提升了80%。
UFS 也就是通用闪存存储,UFS 3.0 是针对需要高性能、低功耗的移动应用和计算系统而开发出来的。通俗的来说,UFS 3.0 是第一个引入了 MIPI M PHY HS Gear4 标准的闪存存储,单通道带宽提升到 11.6Gbps,是 HS G3(UFS 2.1)性能的 2 倍,由于 UFS 的最大优势就是双通道双向读写,所以接口带宽最高 23.2Gbps,也就是 2.9GB/s。UFS 3.0 功能是支持多个 RPMB 和多个 RPMB 密钥,RPMB 是用于安全存储关键数据的硬件分区,例如用户账单信息,DRM 内容保护密钥等.RPMB 区域在制造时是固定的,并且在制造时也是可配置的。
如果说在刚刚过去的2017年国产手机市场中有哪些很难忘记的大新闻,那么因为华为P10手机的“闪存门”而被用户逐渐开始知晓的eMMC、UFS闪存绝对已经被广大群众深深印在脑海中,其实按照2017年的标准,标榜的旗舰的产品应该都是追求UFS 2.1,因为就在去年的9月份,当时的Benchlife就爆料称新一代的eMMC 5.2、UFS 3.0标准将会在新年之交期间到来,而这条信息被证明是接近正确的,因为就在1月份最后期间,JEDEC组织终于正式发布UFS 3.0标准(JESD220D),一道被发布的还有更新后的接口标准(UFSHCI):JESD223D,以及适用于拓展存储卡标准的UFS Card Extension 1.1(JESD220-2A)。
新的版本最重要的就是带宽的规范,过去UFS 2.0***用的HS-Gear2(G2)规范是单通道单向理论带宽1.45Gbps,双通道双向理论带宽就是5.8Gabps;随后UFS 2.1***用的HS-Gear3(G3)理论带宽翻倍达到11.6Gbps,而今天刚刚发布的UFS 3.0标准***用的带宽规范是HS-Gear4(G4),再次实现带宽翻倍,也就是单通道双向11.6Gpps,因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps,这是非常强大的数字。物理层/传输层依然是***用MIPI M-PHY v4.1/UniPro v1.8,新增温度活动通知,以此实现温度剧变的警报(范围是零下40摄氏度至105摄氏度)。
然而需要注意的是,虽然新的UFS 3.0标准看起来速度很强大,但是就目前知道的2018年上半年将要发售的新设备来说,比如说小米将锁定的骁***45、Exynos 9810,都没有明确的证据表明新的SoC将会支持全新的UFS 3.0,所以说如果要真的用上新的存储标准,可能不会这么快。
[免责声明]本文来源于网络,不代表本站立场,如转载内容涉及版权等问题,请联系我们,我们会予以删除相关文章,保证您的权利。
本文链接:https://www.boatgz.com/post/44445.html