nand

nandflash和NORflash的区别？

1、存储架构不同NOR Flash架构提供足够的地址线来映射整个存储器范围。这提供了随机访问和短读取时间的优势，这使其成为代码执行的理想选择。另一个优点是100％已知的零件寿命。缺点包括较大的单元尺寸导致每比特的较高成本和较慢的写入和擦除速度。与NOR闪存相比，NAND闪存具有更小的单元尺寸和更高的写入和擦除速度。缺点包括较慢的读取速度和I / O映射类型或间接接口，这更复杂并且不允许随机访问。值得注意的是，NAND Flash中的代码执行是通过将内容映射到RAM来实现的，这与直接从NOR Flash执行代码不同。

2、存储容量不同与NOR闪存相比，NAND闪存的密度要高得多，主要是因为其每比特成本较低。NAND闪存通常具有1Gb至16Gb的容量。NOR闪存的密度范围从64Mb到2Gb。由于NAND Flash具有更高的密度，因此主要用于数据存储应用。

3、擦除/读写不同NAND闪存中的擦除操作非常简单，而在NOR闪存中，每个字节在擦除之前都需要写入“0”。这使得NOR闪存的擦除操作比NAND闪存慢得多。例如，NAND闪存S34ML04G2需要3.5ms才能擦除128KB块，而NOR闪存S70GL02GT则需要约520ms来擦除类似的128KB扇区。

4、能耗不同NOR闪存在初始上电期间通常需要比NAND闪存更多的电流。但是，NOR Flash的待机电流远低于NAND Flash。两个闪存的瞬时有功功率相当。因此，有效功率由存储器活动的持续时间决定。NOR Flash在随机读取方面具有优势，而NAND Flash在擦除，写入和顺序读取操作中消耗的功率相对较低。扩展资料：各自的特点：NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。 

NADflash和NORflash都是存储器芯片的类型，但它们的工作原理和特点不同：

1. NANDflash：它的存储单元是由特殊的MO***ET组成的，它们被排列成一个网络，这种排列方式称为NAND结构。NANDflash具有较高的存储密度和较低的成本，通常用于大容量、低功耗的闪存存储器中。但它的读写速度较慢，且需要整个块（Block）的数据被擦除才能写入。

2. NORflash：它的存储单元也是由特殊的MO***ET组成的，但它们是按照分立的方式排列的，称为NOR结构。NORflash的读写速度较快，但存储密度较低，成本较高。它通常用于小容量、高性能的闪存存储器中。

因此，NANDflash适合用于大容量、低功耗、顺序读写的应用场景，如便携式设备中的存储卡、USB闪存盘等；而NORflash则适合用于小容量、高性能、随机读写的应用场景，如某些嵌入式系统中的程序存储器、BIOS芯片等。